Solid state electronics and ciber security

The work is devoted to research possibility of using nanocomposite films of bacteriorhodopsin in sol-gel matrix with embedded quantum dots CdSe/ZnS as a sensitive element of chemical sensors. In this paper, a comparative study of excitation of quantum dots luminescence in nanocomposite film structures using the radiation of different spectral compositions were carried out. Research of the influence of humidity and ammonia on the characteristics of films of sol-gel SiO2 matrix - bacteriorhodopsin - quantum dots CdSe/ZnS has also been carried out. The research results confirmed that the luminescent emission of quantum dots can run a photocycle and, controlling the intensity of luminescent emission, we can monitor changes in the photocycle which, in turn, enables to control the presence and concentration of certain substances in the environment. Key words: Bacteriorhodopsin; Quantum dots; Chemical sensor; Sol–gel glass.

Ця стаття присвячена дослідженню оптичних властивостей плівок Ge-S(Se)-In, які були осаджені зі швидкістю 5 нм/ с з використанням термічного випаровування на скляні підкладки з раніше синтезованого матеріалу. Виміряні спектральні, поляризаційні і кутові характеристики тонких плівок в діапазоні довжин хвиль λ=400-1000 нм. Розраховані оптичні параметри плівок різних складів (Ge 40 S(Se) 60) 100-x In x. Ключові слова: халькогенідні стекла, тонкі плівки, оптичні параметри, Ge-SIn , Ge-Se-In.

Ця стаття присвячена дослідженню оптичних властивостей плівок Ge-S(Se)-In, які були осаджені зі швидкістю 5 нм/ с з використанням термічного випаровування на скляні підкладки з раніше синтезованого матеріалу. Виміряні спектральні, поляризаційні і кутові характеристики тонких плівок в діапазоні довжин хвиль λ=400-1000 нм. Розраховані оптичні параметри плівок різних складів (Ge 40 S(Se) 60) 100-x In x. Ключові слова: халькогенідні стекла, тонкі плівки, оптичні параметри, Ge-SIn , Ge-Se-In.

Досліджено діелектричні властивості кристалів TlIn(S0.93Se0.07)2 в околі фазових переходів при гідростатичних тисках до 700 МПа. Збільшення гідростатичного тиску призводить до зсуву аномалій діелектричної проникності в область вищих температур та появи при тисках р>540 МПа складної полікритичної області. Побудована фазова p,T-діаграма. Ключові слова: сегнетоелектрики, гідростатичний тиск, діелектрична проникність, фазові переходи.

Анотація. Проведено розрахунок основних параметрів одномодових планарних інтегрально-оптичних хвилеводів на основі селенідних і телуридних матеріалів для середнього інфрачервоного діапазону ( = 5-20 мкм), а також розподілу електричної складової поля та коефіцієнтів локалізації мод в планарних інтегрально-оптичних структурах з однорідним, еспоненційним та параболічним профілем показника заломлення хвилеводного шару. Показано, що використання в якості хвилеводного шару градієнтної плівки ХСН із заданим профілем показника заломлення забезпечує можливість регулювати хвилеводні параметри планарного інтегрально-оптичного хвилевода в досить широкому діапазоні. Ключові слова: хвилеводи, градієнтний шар, халькогенідні склоподібні напівпровідники, профіль показника заломлення